據統計，2023~2027年全球晶圓代工成熟制程（28nm及以上）及先進制程（16nm及以下）產能比重大約維持在7:3。中國大陸由于致力推動本土化生產等政策與補貼，擴產進度最為積極，預估中國大陸成熟制程產能占比將從今年的29%，成長至2027年的33%，其中以中芯國際（smic）、華虹集團（huahong group）、合肥晶合集成（nexchip）擴產最為積極。

擴產聚焦在driver ic、cis/isp與power discrete等特殊工藝

driver ic方面，主要采用hv（high voltage）特殊工藝，各家業者近期聚焦40/28nm hv制程開發，而目前市場制程技術較領先的業者是聯電（umc），其次是格芯（globalfoundries）。不過，中芯國際28hv、合肥晶合集成40hv將先后于今年第四季、明年下半年進入量產階段，并與其他晶圓代工業者的技術差距逐漸縮小，尤其制程能力與產能相當的競爭者如力積電（psmc），或暫無十二英寸廠的世界先進（vanguard）、東部高科（dbhitek）短期內將首當其沖；對聯電、格芯中長期來看也將造成影響。

cis/isp方面，3d cis結構包含邏輯層isp與cis感光層，主流制程大致以45/40nm為分水嶺，邏輯層isp制程將持續往更先進節點發展；cis感光層與fsi/bsi cis則以65/55nm及以上為主流。目前技術領先業者以臺積電（tsmc）、聯電、三星（samsung）為主，但中芯國際、合肥晶合集成緊追其后，除持續追趕制程差距，產能也受惠中國智能手機品牌oppo、vivo、小米（xiaomi）等支撐，加上陸系cis業者omnivision、galaxycore與smartsens響應政府政策，陸續將訂單移回中國大陸進行投產支撐。

power discrete（功率元件）方面，主要涵蓋mosfet與igbt兩種產品，世界先進、hhgrace深耕power discrete制程已久，制程平臺及車規驗證覆蓋完整性皆較其他同業更高。而受惠于大陸電動車補貼政策以及鋪設太陽能相關基礎建設，陸系晶圓代工業者據此獲得更多切入機會，包含主流代工廠hhgrace、中芯國際、合肥晶合集成、cansemi在內的業者，加上本土小型的power discrete idm、晶圓廠如gta及crmicro等均加入power discrete競爭行列。若大陸產能同時大量開出，將加劇全球power discrete代工競爭壓力。

整體而言，中國大陸透過積極招攬海外及境內ic設計業者投產或研發新品，目的為提高本土化生產的比例，但大幅擴產的結果可能造成全球成熟制程產能過剩，且隨之而來的將會是價格戰。trendforce集邦咨詢認為，中國大陸成熟制程產能陸續開出，針對driver ic、cis/isp與power discrete等本土化生產趨勢將日漸明確，具備相似制程平臺及產能的二、三線晶圓代工業者可能面臨客戶流失風險與價格壓力，技術進展和良率將是后續鞏固產能的決勝點。

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