光刻膠材料作為集成電路制造領域的重要關鍵材料，是一種有機化合物，經(jīng)過紫外光、電子束等照射，光刻膠得到曝光，化學性質發(fā)生改變，經(jīng)過顯影液的洗滌，圖案會留在襯底上。硅片制造中所用的光刻膠以液態(tài)涂在硅片表面，而后被干燥成膠膜。

因為該產品屬于集成電路制造領域的重要關鍵材料，由于技術壁壘和客戶壁壘高，全球光刻膠市場集中度高，市場被美日公司長期壟斷。日本的jsr、東京應化、信越化學及富士電子四家企業(yè)占據(jù)了全球70%以上的市場份額，處于市場壟斷地位。

按不同制程，光刻膠可分為euv光刻膠、arf光刻膠、krf光刻膠及g線、i線光刻膠，前三者均為高端光刻膠產品，產業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，截至2019年國內在g線/i線光刻膠僅達到20%自給率，而krf光刻膠自給率不足5%，arf光刻膠則完全依賴進口。

但日前，機電之家網(wǎng)獲悉，江蘇南大光電材料股份有限公司發(fā)布公告稱，公司控股子公司寧波南大光電材料有限公司自主研發(fā)的arf光刻膠產品近日成功通過客戶的使用認證。這標志著“arf光刻膠產品開發(fā)和產業(yè)化”項目取得了關鍵性的突破，成為國內通過產品驗證的第一只國產arf光刻膠。據(jù)了解“arf光刻膠產品開發(fā)和產業(yè)化”是寧波南大光電承接國家“02專項”的一個重點攻關項目。

江蘇南大光電材料股份有限公司表示本次通過客戶認證的產業(yè)化意義大。本次驗證使用的50nm閃存技術平臺，在特征尺寸上，線制程工藝可以滿足45nm-90nm光刻需求，孔制程工藝可滿足65nm-90nm光刻需求，該工藝平臺的光刻膠在業(yè)界有代表性。但同時arf光刻膠的復雜性決定了其在穩(wěn)定量產階段仍然存在工藝上的諸多風險，不僅需要技術攻關，還需要在應用中進行工藝的改進、完善，這些都會決定arf光刻膠的量產規(guī)模和經(jīng)濟效益。公司將及時根據(jù)后續(xù)進展履行信息披露義務，敬請廣大投資者注意投資風險。

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