東京工業(yè)大學的科學家們發(fā)現(xiàn)了一種新的策略，即通過利用量子限制效應來設計出令人難以置信的高效鈣鈦礦型led，并具有創(chuàng)紀錄的亮度。

多年來，已經(jīng)開發(fā)了幾種用于發(fā)電的技術。當施加電流時可以發(fā)光的裝置稱為電致發(fā)光裝置，其效率已經(jīng)比傳統(tǒng)的白熾燈泡高了幾個數(shù)量級。發(fā)光二極管(led)構成了這些設備中最引人注目的和最普遍的類別。如今，存在無數(shù)種不同類型的led，這是由于我們對量子力學，固態(tài)物理學以及使用替代材料的理解的進步而成為可能。

電致發(fā)光器件由幾層組成，最重要的是發(fā)光層(eml)，該發(fā)光層響應于電流而發(fā)光。化學鹵代鈣鈦礦，化學式為cspbx3(x = i，br，cl)，最近被認為是制造eml的有前途的材料。然而，與通常用于設計電視和智能手機顯示器的有機led相比，當前的鈣鈦礦基led(peled)的性能較差。幾位研究人員建議使用低維(即發(fā)光結構單元在平面上或在晶體結構中線性連接的)鈣鈦礦制造peled，該鈣鈦礦可基于激子的量子限制效應提供改善的發(fā)光性能。激子是有效發(fā)射光子的電子-空穴對。然而，

有趣的是，正如東京工業(yè)大學的英野英郎教授帶領的一組研究人員所發(fā)現(xiàn)的那樣，可以使用具有優(yōu)異的電子和空穴遷移率的三維(3d)鈣鈦礦來設計高效的peled。解決了低維鈣鈦礦的局限性。該團隊研究了在3d材料中是否可以實現(xiàn)在低維材料中使用與鈣鈦礦相鄰的新電子傳輸層發(fā)生的量子限制效應，并產(chǎn)生有吸引力的發(fā)光特性。在電致發(fā)光器件中，eml夾在兩層之間：電子傳輸層和空穴傳輸層。這兩層在確保設備良好的導電性能方面起著關鍵作用。

通過調(diào)整peled中電子和空穴傳輸層的特性，該團隊可以通過確保激子保持在發(fā)射層中來防止上述效應。hosono解釋說：“如果電子/空穴傳輸層的能級足以進行激子限制，則從某種意義上說，整個器件結構可以看作是按比例放大的低維材料。” 該團隊報告了3d peled在高亮度，電源效率和低工作電壓方面具有創(chuàng)紀錄的性能。

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