愛(ài)發(fā)科（ulvac）上市了真空度高且減小了顆粒影響的研究開發(fā)用濺射設(shè)備“jsp-8000”。該設(shè)備可以應(yīng)用于硬盤磁頭的磁性多層膜、太陽(yáng)能電池的透明電極、mems用絕緣材料等產(chǎn)品的研究開發(fā)和少量生產(chǎn)。

濺射設(shè)備的真空度通常為5×10-6pa左右，jsp-8000則能夠達(dá)到7×10-7pa。而且，濺射方式采用了使陰極和晶圓直立的“side deposition methode”。顆粒附著量?jī)H為該公司晶圓和陰極上下配置的傳統(tǒng)產(chǎn)品的1/30。膜厚分布和膜特性經(jīng)過(guò)確認(rèn)，均達(dá)到了該公司現(xiàn)有產(chǎn)品的水平。

受到電子部件開發(fā)周期縮短的影響，使用同一臺(tái)生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行研究開發(fā)和少量生產(chǎn)的要求日趨強(qiáng)烈。為此，愛(ài)發(fā)科在研究開發(fā)用設(shè)備中，加入了能夠向成膜室內(nèi)自動(dòng)運(yùn)送晶圓的晶圓搬運(yùn)設(shè)備和能夠提高成膜速度的陰極。通過(guò)以上措施，處理速度能夠比以往的研究開發(fā)設(shè)備提高5～10倍。

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