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中國短期內難以超越韓國半導體技術

2024-05-14 00:59:25 來源:netspy 作者/編輯: 瀏覽次數:1798 手機訪問 使用手機“掃一掃”以下二維碼,即可分享本文到“朋友圈”中。

韓國半導體行業紛紛開始著手應對中國的半導體追擊,試圖甩開與中國的技術差距。韓國半導體行業的兩巨頭——三星電子和sk海力士開始量產世界頂級技術的存儲芯片,加快擴大與中國的技術差距。

據報道,sk海力士12日表示,公司研發出了應用第二代10納米級微加工技術的8gb ddr4 dram。

據悉,該產品傳送數據時可以一次交換的信號量增加到以前的兩倍,將數據傳送速度提高到了行業最高水平。

三星電子2017年11月開始批量生產技術水平相仿的dram,2018年7月已經開始量產應用更先進的第二代10納米級微加工技術的16gb手機用dram。

報道指出,進入歷史最繁榮周期的韓國半導體產業面臨的最大威脅便是中國的猛烈追擊。

而隨著10月美國商務部宣布對中國福建晉華集成電路公司進行出口制裁,中國的追擊不得不因為中美貿易戰暫時停下了腳步。

這件事給韓國爭取了更多時間用來擴大技術差距。

韓國業界普遍認為,目前中國存儲芯片的技術水平比韓國落后3——5年。但中國的半導體追擊依然是引發需求激增的半導體行業出現“價格觸頂”爭議的主要原因。

雖然目前還擁有巨大的技術差距,但韓國半導體行業一致認為,中國的技術發展速度對韓國半導體行業產生了巨大威脅。

來源:netspy

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