日前，國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項“氮化物半導體新結構材料和新功能器件研究”項目在北京正式宣布啟動。

該項目由北京大學牽頭，聯合清華大學、北京郵電大學、西安電子科技大學、廣東省半導體產業技術研究院、中國電子科技集團公司第五十五研究所、中國科學院半導體研究所、合肥彩虹藍光科技有限公司等14家單位共同承擔。

項目將圍繞后摩爾時代信息領域對分立光電子和電子器件的需求，開展基于氮化物半導體新結構材料和新功能器件的研究，重點突破氮化物半導體的零維量子點、一維量子線和二維量子阱及其復合結構等低維量子結構的制備等，為第三代半導體材料和器件的持續發展奠定基礎。

2016年，國家啟動了“十三五”國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項，這是科技部高技術研究發展中心負責管理的25個專項之一。該專項按照第三代半導體材料與半導體照明、新型顯示、大功率激光材料與器件、高端光電子與微電子材料4個技術方向，共部署35個研究任務，實施周期為5年（2016-2020 年）。

資料顯示，面向上述4個技術方向，該重點專項在2016 年已啟動15個研究任務的27個項目，2017年已啟動15個研究任務的37個項目，2018年啟動5個研究任務，擬支持12-24 個項目，擬安排國撥經費總概算為1.77億元。

這次啟動的“氮化物半導體新結構材料和新功能器件研究”項目屬于2018年5個研究任務之一“第三代半導體新結構材料和新功能器件研究”中的項目，項目若順利完成，將有利于推動我國在寬禁帶半導體材料和器件領域的進一步發展。

以氮化鎵、碳化硅為主的第三代半導體具備高頻高效、抗輻射能力強等優越性能，被視為支撐能源、交通、信息、國防等產業發展的核心技術，成為了全球各國爭先搶占的戰略制高點。近年來，中國第三代半導體技術研究機產業發展受到了央地政府的高度重視，相繼出臺多項政策支持。

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