新設計出的全無機異質結構peled

幾十年來，制造出可調發射波長高效電泵浦（激光二極管）ld一直是全球眾多研究人員的夢想。然而迄今為止，研發的常規半導體材料都具有某些缺點，例如，有機半導體中的低載流子遷移率，無機半導體的剛性制備技術。因此，我們必須研發出不含有毒元素、高光致發光量子效率和光學增益的新半導體材料，從而做出電泵浦激光器。

目前，混合金屬鹵化物鈣鈦礦是最好的高轉換率光伏應用。更重要的是，鈣鈦礦具有相當優異的光電性質，例如高光致發光量子產率、高光學增益和高載流子遷移率。這些特性使sn基鈣鈦礦成為電泵浦ld最合適的備選材料。

若要制備出sn基鈣鈦礦的ld，需要攻克兩個難題。首先，需要制備高質量的、光滑的、全面覆蓋的鹵化銫鈣鈦礦（cssnx3）薄膜，這是低閾值的放大自發發射（ase）的先決條件;其次，還應研發出全無機鈣鈦礦發光二極管（peleds）平面異質結結構，包括空穴和電子傳輸層，這對它們的高電流密度耐久性至關重要。

針對上述電泵浦lds的兩個難題，吳兆新教授和西安交通大學的合著者用全真空氣相沉積法制備出了全無機異質結構peled。

通過新的設計方法和理念，“絕緣體- 鈣鈦礦- 絕緣體”（ipi）架構全無機異質結構peled的最大eqe為~0.34％，并且能經受的電流密度高達915 a / cm2，發射區為0.01 mm2，為制備出電泵浦激光器提供了良好的鋪墊。

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