光刻膠是在微電子制造業中實現精細線路及圖形加工工藝的核心材料。光刻技術利用光刻膠在輻射前后溶解度的差異來轉移圖案，不同光刻膠及曝光光源的組合會得到不同精細度的線路圖形，目前分辨率最高可達納米級。根據應用領域分類，光刻膠可分為pcb 光刻膠、lcd 光刻膠、半導體光刻膠等。

最近因為中興被美國政府制裁禁用美國電子芯片一事，全國上上下下普及了一遍半導體技術，也讓很多人明白了國產廠商在半導體領域原來這么落后，不僅下游的芯片研發、設計不行，上游的半導體裝備、材料更是嚴重依賴進口。

好在這種局面正在改變，芯片生產所需要的光刻機技術現在已經國產化了，國內公司攻克了另一項中國芯關鍵技術。買回來的硅圓片經過檢查無破損后即可投入生產線上，前期可能還有各種成膜工藝，然后就進入到涂抹光刻膠環節。微影光刻工藝是一種圖形影印技術，也是集成電路制造工藝中一項關鍵工藝。

首先將光刻膠（感光性樹脂）滴在硅晶圓片上，通過高速旋轉均勻涂抹成光刻膠薄膜，并施加以適當的溫度固化光刻膠薄膜。涂好了光刻膠才能進入光刻機進行曝光，讓紫外線在光刻膠上生成掩膜中的電路圖，必要的時候還要多重曝光，反復使用光刻膠，因此沒有這一步電路是造不出來的。

目前光刻膠市場上的參與者多是來自于美國、日本、韓國等國家，包括陶氏化學、杜邦、富士膠片、信越化學、住友化學、lg化學等等，中國公司在光刻膠領域也缺少核心技術。

我國lcd 光刻膠市場巨大，但卻高度依賴進口。全球范圍內，lcd 光刻膠占據所有光刻膠品種26.6% 的市場份額，而我國lcd 光刻膠的產值僅占所有光刻膠種類的2.7%左右。由于lcd 光刻膠行業技術壁壘高，市場主要由日本及韓國的廠商壟斷，如jsr、lg 化學、tok、cheil 等。我國內資企業在該領域也已起步，目前北京科華、蘇州瑞紅等可以生產一些彩色光刻膠，上海新陽擬設立韓國子公司涉足黑色光刻膠領域。

半導體方面，日美壟斷半導體光刻膠，各類半導體光刻膠中，日美企業基本壟斷了g/i 線光刻膠、krf/arf 光刻膠市場，生產商主要有jsr、信越化學工業、tok、陶氏化學等。而我國半導體光刻膠生產企業主要有蘇州瑞紅、北京科華等，兩家企業持續加大研發投入和創新，有望持續引領半導體光刻膠國產化進程，逐漸降低我國對半導體光刻膠的進口依賴程度。

光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。基于感光樹脂的化學結構，光刻膠可以分為三種類型。

光聚合型

采用烯類單體，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發單體聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特點。

光分解型

采用含有疊氮醌類化合物的材料，經光照后，會發生光分解反應，由油溶性變為水溶性，可以制成正性膠。

光交聯型

采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發生交聯，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，這是一種典型的負性光刻膠。柯達公司的產品kpr膠即屬此類。

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