半導體摻雜技術是半導體器件的核心技術之一。盡管半導體摻雜技術看起來好像很高深，但日常生活中用到半導體器件的設備卻隨處可見，比如智能手機、電視機、led燈、激光器等。

隨著半導體器件尺寸的不斷減小，各種量子效應逐漸凸顯，經典的器件設計理論將不再適用，使傳統半導體摻雜技術面臨巨大挑戰。

“新型半導體材料的摻雜機理研究是目前光電技術、凝聚態物理、新能源等領域的前沿熱點問題，對此我們開展了相關的基礎研究，試圖尋找關鍵科學問題的答案。”中科院半導體研究所研究員李京波介紹。他主導的“新型半導體深能級摻雜機制研究”項目獲得了2017年度國家自然科學獎二等獎。

李京波團隊研究成果引起了國內外學術界的關注，《自然—亞洲材料》曾將他們的研究發現作為“亮點”來介紹，該雜志指出：李京波及其合作者設計了一種新的方法來提高tio2的光催化效率。

據介紹，以半導體激光器外延生長、摻雜技術等科學問題研究為支撐，在大功率半導體激光器芯片關鍵技術等方面，李京波團隊近來取得了多項創新成果：開發出六千瓦納秒脈沖激光器，平均功率最高達到了0w，比目前國際上同類指標高2000w；首次研發出大功率半導體激光器芯片，芯片單巴功率超過160瓦，壽命超過1萬小時。

李京波團隊已經將此次獲獎項目的部分成果成功轉化為高功率脈沖激光器產業化應用。他們在南昌經濟技術開發區的支持下，創辦了南昌中科創譜激光科技有限公司，預計2018年該公司的銷售收入將突破1億元。

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