300mm大硅片是集成電路制造不可或缺的基礎材料，對集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起著關(guān)鍵支撐作用。針對集成電路制造行業(yè)對低氧高阻、近零缺陷等硅片產(chǎn)品的迫切需求，亟需解決大直徑、高質(zhì)量硅單晶晶體生長技術(shù)中的氧雜質(zhì)輸運、晶體缺陷調(diào)控等基礎科學問題，進而開發(fā)大直徑單晶晶體生長技術(shù)，實現(xiàn)特定的晶體雜質(zhì)、缺陷的人工調(diào)控，滿足射頻、存儲等領(lǐng)域的應用需求。

近日，中國科學院上海微系統(tǒng)所研究員魏星團隊在300mm晶體生長的數(shù)值模擬研究領(lǐng)域取得重要進展。該團隊自主開發(fā)了耦合橫向磁場的三維晶體生長傳熱傳質(zhì)模型，并首次揭示了晶體感應電流對硅熔體內(nèi)對流和傳熱傳質(zhì)的影響機制。相關(guān)研究成果以effects of induced current in crystal on melt flow and melt-crystal interface during industrial 300 mm czochralski silicon crystal growth with transverse magnetic field為題，發(fā)表在《晶體生長與設計》(crystal growth & design)上。

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