2018年9月25日，國家重點研發計劃“納米科技”重點專項項目“高性能中遠紅外半導體激光器與探測成像芯片及應用”和“多場耦合納米異質結構光電子器件的基礎研究”在北京聯合召開啟動實施會議。

專項總體專家組專家祝世寧院士、劉明院士、黃如院士以及同行專家解思深院士、鄭有炓院士、夏建白中院士等10余位專家組成專家組，項目依托單位南京大學和中國科學院半導體研究所代表，科技部高技術中心“納米科技”重點專項管理辦公室（以下簡稱“專項辦”）相關同志出席了會議。

會上，項目負責人施毅教授和陳弘達教授分別匯報了項目總體情況、組織實施機制和實施方案等內容，專項辦對項目的組織實施提出了具體要求。“高性能中遠紅外半導體激光器與探測成像芯片及應用”項目針對我國國防裝備、遙感探測等領域戰略需求，以研制高性能中遠紅外量子級聯激光器（qcl）和銻化物探測成像芯片為核心目標開展深入系統研究。“多場耦合納米異質結構光電子器件的基礎研究”項目圍繞多場耦合納米異質結構光電子器件中的基礎科學問題開展研究，目標是推動我國高端光電子器件研發和制備技術。

專家們就項目的研究內容、技術路線和實施方案等內容進行了咨詢指導，指出半導體激光器、探測成像芯片和光電子器件等納米器件的研發和制備是我國面臨的重要戰略性問題，目前國內在納米器件方面的研究發展迅速，納米器件的產業化應用前景廣闊。

與會專家提出項目要緊密圍繞專項的總體目標和預定的研究任務開展工作，堅持以解決國家在芯片領域的重大需求為導向，不斷開展自主創新。各課題負責人要根據項目的總體目標，加強各課題之間的合作和資源共享。從機理研究、技術研發到成果轉化開展系統研究，力爭在解決國家芯片領域的重大需求方面提供有力的技術和理論支撐。

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