6月23日，英諾賽科寬禁帶半導體項目在蘇州市吳江區舉行了開工儀式。項目占地368畝，總投資60億，建成后將成為長三角地區領先的集研發、設計、外延生長、芯片制造為一體的寬禁帶半導體企業，填補我國高端半導體器件的產業空白，預計到2023年年產值將突破100億，并為當地創造超過2000個就業崗位。

據介紹，英諾賽科由海歸創業團隊創立，是集合了來自美國、韓國、臺灣地區等地知名企業的眾多精英并由招銀國際、吳江產業投資等國內知名pe機構投資組成的高科技企業，在第三代寬禁帶半導體全產業鏈各個環節擁有多年研發與產業化經驗，掌握多項核心專利技術。繼八英寸硅基氮化鎵項目于2017年底在珠海市成功通線以來，英諾賽科獲得半導體行業和投資界的廣泛認可和關注。英諾賽科蘇州項目將借助長三角地區半導體產業集群效應和政策優勢，與上下游先進制造企業協同發展，填補我國高端半導體器件的產業空白，為5g移動通信、新能源汽車、高速列車、電子信息、航空航天、能源互聯網等產業的自主創新發展和其他轉型升級行業提供先進、高效、節能和低成本的核心電子元器件。加強與國內外戰略合作伙伴的共贏發展。

開工儀式上，吳江區副區長吳琦表示，積極支持英諾賽科寬禁帶半導體項目的建設并為海歸創業人士創造有利的政策環境，共同推進高端芯片的國產化。英諾賽科ceo孫在亨先生表示，將充分發揮團隊的國際資源整合能力，積極為吳江區引進先進技術和國際高端半導體人才，用世界一流的標準將英諾賽科打造成為國際領先的半導體品牌企業。

英諾賽科蘇州項目的開工，恰逢全球后摩爾時代的開端。作為后摩爾時代的主要技術代表，寬禁帶半導體器件以其更大的禁帶寬度、更強的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，硅基氮化鎵工藝及制造在成本和單片集成的突破也會帶來革命性的變化，展現出相對傳統硅功率半導體器件的全面性能優勢和大規模產業應用優勢。無疑，英諾賽科蘇州項目的建成和發展，將大大助長我國后摩爾時代的競爭實力。

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